SiC晶圆激光快速退火系统 - 激光快速退火设备 - 成都莱普科技有限公司

<cite id="zrnbj"><noframes id="zrnbj">

<del id="zrnbj"></del><ins id="zrnbj"><noframes id="zrnbj"><ins id="zrnbj"></ins>

<var id="zrnbj"><noframes id="zrnbj"><ins id="zrnbj"></ins>

<ins id="zrnbj"></ins>

<cite id="zrnbj"><span id="zrnbj"></span></cite>

<var id="zrnbj"><span id="zrnbj"></span></var>

<ins id="zrnbj"><noframes id="zrnbj"><cite id="zrnbj"></cite>

<cite id="zrnbj"><span id="zrnbj"></span></cite>

<cite id="zrnbj"><noframes id="zrnbj"><cite id="zrnbj"></cite>

中 EN

产品及应用

首页 > 产品展示 > 产品详情

SiC晶圆激光快速退火系统

产品介绍

采用激光对重掺杂 SiC 表面沉积一种或几种过渡金属进行合金化，精确控制激光能量和分布，形成良好的欧姆接触。采用激光方式可忽略衬底正面结构的影响，更好的与减薄工艺兼容，简化工艺流程，提高器件性能。

产品特点应用产品类型技术指标应用案例

产品特点

· 支持薄片退火 · 优秀的退火表面形貌和电学特征
· 10^-5Ωcm2量级的比接触电阻率
· 高效率、低成本控制
· I F 值提高 30% 以上 · 完整的全程监控反馈功能

应用产品类型

技术指标

项目	LA2540S	LA2550S
晶圆尺寸	4/6 Inch 兼容
典型扫描时间	180 sec/p @4 inch	90 sec/p @4 inch
激光能量密度	≥ 5J/cm2
激光输出稳定性	≤ 2%，RMS，4hrs
比电阻接触率	≤ 10 ^-5Ωcm2
自动传片系统	双 LoadPort、多关节机器手、预准直器

应用案例

关注公众号

联系我们

028-85222347

地址：成都市高新区安泰七路66号9号厂房1-3层

产品与应用: 半导体晶圆制造; 半导体封装测试; 电子精密制造

服务与支持: 售前咨询; 售后服务; 日常维护; 客户培训; 软件升级

关于我们: 公司简介; 公司新闻; 公司荣誉; 营销网络; 人力资源

Chengdu Laipu Technology co.,LTD蜀ICP备18037246号-1

无码日韩精品国产av-国产欧美精品一区-欧美v日韩v亚洲最新在线观看-热热久久超碰精品中文字欧美日韩精品在线_台湾中文综合久久_久久精品亚洲精品_中文字幕日韩一区二区不卡欧美a三级欧美一级-一级黄色网站一区二区三区四区-日韩毛片精品视频一区二区-国产一级日韩一级精品大全欧美日韩一区精品视频一区二区_亚洲综合一区二区三区不卡_欧美日韩在线精品视频_久久综合亚洲鲁鲁五月天69堂精品日韩国产欧美视频-精品精品国产自在久久-亚洲最大综合丁香五月天-免费大片av手机看片不卡国产精品自产拍在线观看|久久久久亚洲av无码网站|中文无码字幕中文有码字幕|99中文字幕精品无码一区二区日韩精品无码去免费专区_久久亚洲欧美日本精品_责任分散久久精品—区二区三区美女_无码电影在线观看国产_日韩美女爱爱视频一区 _亚洲vav在线男人的天堂_欧美国产精品视频